Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340531| Заглавие документа: | Структурные и оптические характеристики твердых растворов Cu(In,Ga)Se2/Mo/стекло, облученных ионами водорода |
| Другое заглавие: | Structural and Optical Characteristics of Ion-Implanted Cu(In,Ga)Se2/Mo/Glass Solid Solutions / Borodavchenko O., Mudryi A., Zhivulko V., Usenko K., Kotov P., Yakushev M. |
| Авторы: | Бородавченко, О. М. Мудрый, А. В. Живулько, В. Д. Усенко, К. В. Котов, П. М. Якушев, М. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 130-132. |
| Аннотация: | Анализ качества кристаллической структуры, определение фазового состава и соотношения элементов гетероструктур Cu(In,Ga)Se2/Mo/стекло, облученных ионами водорода в диапазоне доз 1014 - 1017 см-2, проведен с использованием рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии. Параметры элементарной ячейки Cu(In,Ga)Se2 составили a ~ 5.736 A и c ~ 11.448 А. В спектрах фотолюминесценции тонких пленок Cu(In,Ga)Se2 обнаружена интенсивная полоса BT ~ 1.158 эВ, обусловленная рекомбинацией свободных электронов с дырками, локализованными в хвостах валентной зоны. Обсуждается влияние радиационно-индуцированных дефектов на оптические характеристики твердых растворов Cu(In,Ga)Se2 со структурой халькопирита |
| Аннотация (на другом языке): | X-ray diffraction and scanning electron microscopy are used to analyze the quality of the crystal structure, determine the phase composition and the ratio of elements of Cu(In,Ga)Se2/Mo/glass heterostructures irradiated with hydrogen ions in the dose range of 1014 - 1017 cm-2. The unit cell parameters of Cu(In,Ga)Se2 were a ~ 5.736 A, c ~ 11.448 A. In the photoluminescence spectra of Cu(In,Ga)Se2 thin films an intense BT band ~ 1.158 eV was found due to the recombination of free electrons with holes localized in the tails of the valence band. The effect of radiation-induced defects on the optical characteristics of Cu(In,Ga)Se2 is discussed |
| Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340531 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена по проекту ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии», задание 1.4.4 и договору БРФФИ Ф25М-010. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 130-132.pdf | 117,47 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.