Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340530| Title: | Модель теплопереноса в кремниевых неоднородных наноструктурах |
| Other Titles: | Model of Heat Transfer in Silicon Inhomogeneous Nanostructures / Belko Viktor |
| Authors: | Белько, В. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 127-129. |
| Abstract: | Решена задача о распространении тепла в неоднородной кремниевой нанопроволоке с учетом граничных условий третьего рода на границах между кремнием и оксидом. Условия на внешних границах сформулированы так, чтобы количество тепла, приходящее в образец в единицу времени, было равно количеству тепла, уходящего через эти границы. Установлено: если на торцах кремниевой проволоки длиной 10 нм расположены слои аморфного диоксида кремния по 3 нм, то в этом случае после выхода на стационар температура на границах равна 166.7 К. Если слои диоксида имеют толщину по 2 нм на торцах кремниевой проволоки длиной 10 нм, то температура на границах в квазистационарном состоянии равна 198 К. Слои SiO2 по 1 нм приводят к итоговой температуре на границах 234 К |
| Abstract (in another language): | A modeling technique and algorithm have been developed to describe the thermal properties of nanoscale silicon nanowires, which is based on a numerical solution of the initial boundary value problem for partial differential equations. When using the condition of continuity of the temperature distribution function, the following results were obtained. (1) If layers of amorphous silicon dioxide of 3 nm are located at the ends of a silicon wire with a length of 10 nm, then in this case, after reaching the stationary state, the temperature at the boundaries is 166.7 K. (2) If SiO2 layers of 2 nm at the ends of a silicon wire with a length of 10 nm, then the temperature at the boundaries in the stationary state The system is equal to 198 K. (3) SiO2 layers of 1 nm each lead to a final temperature at the boundaries equal to 234 K. Calculations were also performed when setting the problem with a solution gap at the boundaries of the layers, when the temperature distribution function at the interface had a gap proportional to the heat flow. In this case, the temperature in the silicon part of the nanowire is higher than in the first case, when the conditions of continuity of the temperature distribution function are met |
| Description: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340530 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 127-129.pdf | 109,52 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.