Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340495| Заглавие документа: | Нуклеация и CVD синтез алмазных покрытий в плазме квазидугового тлеющего разряда |
| Другое заглавие: | Nucleation and CVD-Synthesis of Diamond Coatings in the Plasma of a Quasi-ARC Glow Discharge / Linnik Stepan, Gaydaychuk Alexander, Mitulinsky Alexander, Zenkin Sergei |
| Авторы: | Линник, С. А. Гайдайчук, А. В. Митулинский, А. С. Зенкин, С. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 489-491. |
| Аннотация: | В данной работе представлен обобщенный подход к нуклеации и химическому газофазному осаждению (CVD) алмаза в плазме квазидугового тлеющего разряда переменного тока. Проведены исследования как на плоских, так и на трехмерных подложках сложной формы (например, твердосплавные фрезы). Показано, что применение радиочастотного смещения (13.56 МГц) позволяет достигать плотности зародышей до 10 11 см-2 на диэлектрических и слабопроводящих подложках. Разработана оригинальная конфигурация PACVD-реактора с двумя плазменными каналами, обеспечивающая устойчивую работу разряда при давлениях 20-250 Торр и мощности до 9 кВт. Установлено, что при содержании аргона 45-80% и мощности 1.4-2.5 кВт на канал достигается равномерность покрытия более 50% при скорости роста до 3 мкм/ч. Для монокристаллического алмаза достигнута скорость роста до 80 мкм/ч. Описаны методы управления формой плазмы и температурным режимом, позволяющие избегать краевого эффекта и обеспечить высокую адгезию покрытий. Проведено сравнение с другими CVD-методами и показано преимущество предложенной технологии по простоте реализации, производительности и возможностям масштабирования |
| Аннотация (на другом языке): | This paper presents a comprehensive approach to the nucleation and chemical vapor deposition (CVD) of diamond using AC quasi-arc glow discharge plasma. Investigations were carried out on both flat and 3D substrates with complex shapes (e.g., WC-Co milling tools). It was shown that radio frequency (13.56 MHz) biasing enables a high nucleation density of up to 10 11 cm-2 on dielectric and poorly conductive substrates. A novel dual-channel PACVD reactor was developed, capable of stable discharge operation at pressures from 20 to 250 Torr and power up to 9 kW. It was found that maintaining argon concentration between 45-80% and input power between 1.4-2.5 kW per channel allows for uniform coatings with over 50% thickness uniformity and deposition rates up to 3 pm/h. For single-crystal diamond synthesis, a growth rate of up to 80 pm/h was achieved. Detailed control over plasma form and substrate heating allowed for suppression of the edge effect and improved adhesion. A comparison with other CVD methods showed the advantages of this system in terms of simplicity, throughput, and scalability for industrial applications |
| Доп. сведения: | Секция 5. Методы, оборудование, плазменные и радиационные технологии = Section 5. Methods, Equipment, Plasma and Radiation Technologies |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340495 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 489-491.pdf | 131,82 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.