Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. НИУ "Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко"
  3. Статьи сотрудников НИИ ПФП
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/340232
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКомаров, Ф.Ф.-
dc.contributor.authorМильчанин, О.В.-
dc.contributor.authorВласукова, Л.А.-
dc.contributor.authorМоховиков, М.А.-
dc.contributor.authorПархоменко, И.Н.-
dc.contributor.authorМудрый, А.В.-
dc.contributor.authorВеш, В.-
dc.contributor.authorИсмайлова, Г.А.-
dc.date.accessioned2026-01-21T11:12:39Z-
dc.date.available2026-01-21T11:12:39Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationНаноструктуры в конденсированных средах : сборник научных трудов. – Минск : Институт тепло- и массообмена им. А.В. Лыкова НАН Беларуси, 2013. – С. 71-76ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/340232-
dc.description.abstractПроведены исследования формирования наноразмерных кристаллитов InAs в кристаллическом кремнии методом высокодозной имплантации ионов (мышьяк и индий) и последующей высокотемпературной обработки. Установлено, что размеры кристаллитов и распределение внедрённых примесей по глубине образцов зависят от условий отжига. В спектрах фотолюминесценции образцов с нанокристаллитами зарегистрирована широкая полоса в диапазоне энергий квантов 0,75−1,10 эВ. Обсуждается природа этой полосы.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИнститут тепло- и массообмена им. А.В. Лыкова НАН Беларусиru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleСтруктура и оптические свойства нанокристаллов InAs, синтезированных высокодозной ионной имплантацией в кремнийru
dc.title.alternativeSTRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF InAs NANOCRYSTALS SYNTHESIZED BY HIGH-FLUENCE ION IMPLANTATION IN SILICONru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeOur report is devoted to formation of nanosized clusters InAs in SiO2(40 nm)/Si structures by high-fluence ion implantation followed by high-temperature handling. It was shown that the depth distribution of implanted atoms and size distributions of nanocrystals depend on the annealing conditions. In the photoluminescence spectra of the samples a broad band in the photon energy range 0,75−1,10 eV was revealed. This band can be considered as a superposition of two bands with maxima at 0.94 and 0.99 eV.ru
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников НИИ ПФП

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Комаров.pdf403,97 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.