Управление временем жизни неравновесных носителей заряда последовательной имплантацией высокоэнергетичными ионами гелия: аннотация магистерской диссертации / Анастасия Олеговна Задора; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Ковалев А.И.

Abstract

Целью данной работы является установление влияния радиационных дефектов, введенных при последовательном облучении ионами гелия, на электрические параметры барьерных структур. Объектом исследования являются кремниевые p+-n-диоды, облученные высокоэнергетичными ионами гелия однократно и последовательно энергиями 4,1 и 6,8 МэВ при флюенсах 10^10 и 10^11 см-2. Методика исследования включает в себя DLTS-спектроскопию, импедансную спектроскопию, измерение вольт-амперных характеристик. Уникальность исследования, представленного в данной работы заключается в том, что впервые проведен совместный анализ точечных радиационных дефектов и рассчитаны профили распределения нескомпенсированных доноров по глубине структур, на основе вольт-фарадных характеристик и импедансной спектроскопии, в случае последовательной имплантации ионов гелия в кремний n-типа при указанных условиях.