Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337747Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гусаков, Г. А. | |
| dc.contributor.author | Корякин, С. В. | |
| dc.contributor.author | Шаронов, Г. В. | |
| dc.contributor.author | Королик, О. В. | |
| dc.contributor.author | Шарко, С. А. | |
| dc.contributor.author | Нагалюк, С. С. | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-26T12:43:02Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-26T12:43:02Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 421-425. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-861-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337747 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы процессы взаимодействия излучения импульсного волоконного лазер с длиной волны λ = 1,07 мкм с поверхностью карбида кремния. Показана возможность лазерной полировки карбида кремния без повреждения структуры поверхностного слоя. Данная технология представляет интерес для получения подложек из карбида кремния с атомно-гладкой поверхностью для изделий оптоэлектроники | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Лазерная обработка поверхности карбида кремния | |
| dc.title.alternative | Laser Treatment of Surface of Silicon Carbide / G. A. Gusakov, S. V. Koryakin, G. V. Sharonov, O. V. Korolik, S. A. Sharko, S. S. Nagaljuk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The interaction of pulsed fiber laser radiation with a wavelength of λ = 1.07 μm with a silicon carbide surface was studied. The possibility of laser polishing of silicon carbide without damaging the surface layer structure was demonstrated. This technology is of interest for producing silicon carbide with atomically smooth surfaces for optoelectronic devices | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 421-425.pdf | 1,72 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.