Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337712Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Шилов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Стаськов, Н. И. | |
| dc.contributor.author | Сотский, А. Б. | |
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Мельников, С. А. | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-26T12:42:57Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-26T12:42:57Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 273-277. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-861-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337712 | - |
| dc.description.abstract | В работе представлены результаты исследования оптических характеристик легированных кремниевых пластин КДБ-12 и КЭС-0.015 после быстрого термического отжига. На основе данных спектральной эллипсометрии и фотометрии определены ширина запрещённой зоны и энергия Урбаха. Установлено, что ширина запрещённой зоны для чистого кремния в обоих образцах одинакова, однако энергия Урбаха для КДБ-12 превышает значение для КЭС-0.015 из-за более высокой концентрации бора по сравнению с концентрацией сурьмы | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках Государственной программы научных исследований РБ «1.15 Фотоника и электроника для инноваций». | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Оптическая неоднородность легированных кремниевых подложек | |
| dc.title.alternative | Optical inhomogeneity of doped silicon substrates / A. V. Shilov, N. I. Staskov, A. B. Sotsky, V. A. Pilipenko, A. N. Petlitsky, S. A. Melnikov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | This paper presents the results of a study of the optical characteristics of doped KDB-12 and KES-0.015 silicon wafers after rapid thermal annealing. Using spectral ellipsometry and photometry, the band gap and Urbach energy were determined. It was found that the band gap for pure silicon is the same in both samples; however, the Urbach energy for KDB-12 exceeds that of KES-0.015 due to the higher boron concentration compared to the antimony concentration | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 273-277.pdf | 1,84 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.