Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337706Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Козодоев, С. В. | |
| dc.contributor.author | Демидович, С. А. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-26T12:42:56Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-26T12:42:56Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 256-258. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-861-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337706 | - |
| dc.description.abstract | Методом Фурье спектроскопии обнаружено, что по сравнению с монослоем SiNx, структуры SiNx/Ti/SiNx с поверхностным микрорельефом более эффективно (на 20 – 60 %) поглощают инфракрасное (ИК) излучение в диапазоне 14 – 24 мкм. Показано, что усиление поглощения имеет место для различных топологических рисунков профилированного Ti (рамок, перекрестий). Вместе с тем выявлено более высокое (на 3 – 18 %) поглощение излучения в диапазоне 16 – 24 мкм при использовании поверхностных микроструктур в виде перекрестий | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Поглощение ИК-излучение структурами SiNx/Ti/SiNx | |
| dc.title.alternative | Absorbtion of IR radiation by structures SiNx/Ti/SiNx / S. V. Kozodoev, S. A. Demidovich, P. I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | It is found by Fourier spectroscopy that, compared with the SiNx monolayer, SiNx/Ti/SiNx structures with a surface microrelief absorb infrared (IR) radiation in the range of 14 – 24 μm more efficiently (by 20– 60 %). It is shown that an increase in absorption occurs for various topological patterns of profiled Ti (frames, crosshairs). At the same time, a higher (by 3 – 18 %) absorption of radiation in the range of 16 – 24 μm was revealed when using surface microstructures in the form of crosshairs | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 256-258.pdf | 1,62 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.