Особенности магнитосопротивления неупорядоченных пленок графена, синтезированных методом CVD

Abstract

Исследованы магниторезистивные свойства мозаичных пленок графена (с толщиной, варьирующейся от 1 до 6 слоев) в температурном интервале 2–300 К и в магнитных полях до 8 Тл. В температурном интервале 2–50 К обнаружен переход от отрицательного к положительному магнитосопротивлению (МС) при повышении величины индукции магнитного поля. При температурах выше 50 К во всем диапазоне магнитных полей 0–8 Тл наблюдалось только положительное магнитосопротивление без тенденции к насыщению по величине. Значение положительного магнитосопротивления ∆R/R 0 увеличивалось с повышением температуры. Максимальное значение ∆R/R 0 ~ 0,25 зарегистрировано при 300 К в магнитном поле B = 8 Тл. Отрицательное магнитосопротивление обусловлено проявлением эффекта слабой локализации. Обнаружена зависимость величины магнитосопротивления от полярности магнитного поля, что объясняется неинвариантностью путей протекания тока при противоположных направлениях магнитного поля в системах с размерами неоднородностей, превышающих длину свободного пробега носителей заряда