Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329623Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Королев, Д. С. | |
| dc.contributor.author | Матюнина, К. С. | |
| dc.contributor.author | Никольская, А. А. | |
| dc.contributor.author | Крюков, Р. Н. | |
| dc.contributor.author | Сушков, А. А. | |
| dc.contributor.author | Тетельбаум, Д. И. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:21Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:21Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 465-468. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329623 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Исследованы структура и фотолюминесцентные свойства нанокристаллов оксида галлия, ионно-синтезированных в матрице SiO2/Si. Показано, что светоизлучающие свойства определяются режимами ионного облучения и постимплантационного отжига. Исследование влияния дополнительного ионного облучения и последующего отжига продемонстрировало возможность управления светоизлучающих свойств путем вариации условий облучения и отжига | |
| dc.description.sponsorship | Исследование выполнено при поддержке Программы стратегического академического лидерства «Приоритет 2030» Министерства науки и высшего образования РФ. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Модификация фотолюминесцентных свойств ионно-синтезированных нанокристаллов оксида галлия при дополнительном облучении ионами | |
| dc.title.alternative | Modification of photoluminescence properties of ion-synthesized gallium oxide nanocrystals at additional ion irradiation / D. S. Korolev, K. S. Matyunina, A. A. Nikolskaya, R. N. Kriukov, A. A. Sushkov, D. I. Tetelbaum | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The structure and photoluminescent properties of gallium oxide nanocrystals ion-synthesized in a SiO2/Si matrix were studied. It was shown that the light-emitting properties are determined by the ion irradiation and post-implantation annealing regimes. The study of the effect of additional ion irradiation and subsequent annealing demonstrated the possibility of controlling the light-emitting properties by varying the irradiation and annealing conditions | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 465-468.pdf | 353,35 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.