Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329622Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Козодоев, С. В. | |
| dc.contributor.author | Мухаммад, А. И. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:21Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:21Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 462-465. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329622 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Методом конечных разностей во временной области рассчитаны спектры поглощения инфракрасного излучения структур Si3N4/Ti/Si3N4 в зависимости от размеров их перфорации. Обнаружено, что для всех структур уровень поглощения составляет более 75 % во всём исследуемом диапазоне длин волн. Показан нелинейный характер зависимости уровня поглощения от диаметра цилиндрической перфорации. Установлено, что модификация профилированных структур Si3N4/Ti/Si3N4 перфорацией может усиливать поглощение в диапазоне 8–8.4 мкм независимо от размера перфорации. Обнаружено, что усиление поглощения в диапазоне 11.2–13.2 мкм происходит в структурах с перфорацией диаметром 1 мкм | |
| dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта Государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702). | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Поглощение ИК-излучения перфорированными структурами Si3N4/Ti/Si3N4 | |
| dc.title.alternative | IR absorption by perforated structures Si3N4/TI/Si3N4 / S. V. Kozodoev, A. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The effect of cylindrical perforation size on infrared absorption spectra of Si3N4/Ti/Si3N4 structures obtained by finite difference time domain spectroscopy is investigated. It is found that for all structures the absorption level is higher than 75 % in the entire studied wavelength range. Nonlinear dependence of absorption level on perforation diameter is shown. It is found that modification of profiled Si3N4/Ti/Si3N4 structures by perforation can enhance absorption in the range of 8–8.4 μm regardless of perforation size. It is found that absorption enhancement in the range of 11.2–13.2 μm occurs in structures with perforation diameter of 1 μm | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 462-465.pdf | 340,99 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.