Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329620
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКазимиров, Н. А.
dc.contributor.authorКонаков, А. О.
dc.contributor.authorФедотов, А. К.
dc.contributor.authorВоробьёва, С. А.
dc.contributor.authorХарченко, А. А.
dc.contributor.authorФедотова, Ю. А.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:21Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:21Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 454-458.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329620-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractПоказано, что при осаждении частиц никеля на легированный медью графен формируются как одиночные частицы со средним размером около 30 нм, так и их агломератами. Установлено, что легирование медью происходит по всей площади, а осаждение частиц никеля концентрируется в области относительно крупных областей дефектного графена. Температурная зависимость проводимости исследуемой структуры демонстрирует полупроводниковый характер
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при финансовой поддержке Государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций», подпрограмма «Микро- и нано-электроника» (2021–2025), проекты 3.2.4 (№ г.р. 20212560) и 3.2.5 (№ г.р. 20211729).
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleСтруктурные и электрические характеристики гибридных систем Si/SiO2/graphene+Cu/Ni
dc.title.alternativeStructural and electrical characteristics of hybrid structures Si/SiO2/graphene+Cu/Ni / N. A. Kazimirov, A. O. Konanov, A. K. Fedotov, S. A. Vorobyova, A. A. Kharchanka, J. A. Fedotova
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeIt is shown that when nickel particles are deposited on copper-doped graphene, particles with an average size of about 30 nm are formed, which are deposited both as single particles and as agglomerations. It is established that copper doping occurs over the entire area, and the deposition of nickel particles is concentrated in the area of relatively large defective regions of graphene. The temperature dependence of the conductivity of the studied structure demonstrates a semiconductor character
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
454-458.pdf413,55 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.