Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329614Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | |
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:20Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:20Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 37-42. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329614 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Методом индентирования исследована модификация в процессе длительного хранения прочностных свойств имплантированных ионами Sb + пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии. Зависимости микротвердости от нагрузки после имплантации были немонотонными, что обусловлено наличием у границы раздела фоторезист/кремний упругих напряжений. Длительное хранение приводило к исчезновению немонотонности зависимостей микротвердости от нагрузки вследствие релаксации упругих напряжений. В процессе хранения наблюдалось увеличение микротвердости фоторезистивных пленок, обусловленное сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы, Этот процесс стимулирован разложением при ионной имплантации диазохинона. После хранения имплантированная фоторезистивная пленка не подвержена упругопластическому восстановлению после снятия нагрузки | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Модификация при хранении пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами сурьмы | |
| dc.title.alternative | Modification during storage of diazoquinonenovolac photoresist FP9120 films implanted with antimony ions / D. I. Brinkevich, V. S. Prosolovich, S. A. Vabishchevich, N. V. Vabishchevich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The modification during long-term storage of the strength properties of implanted with Sb+ ions diazoquinonenovolac photoresist FP9120 films on monocrystalline silicon was investigated by the indentation method. The dependences of microhardness on the load after implantation were nonmonotonic, due to the presence of elastic stresses at the photoresist/silicon interface. Long-term storage led to the disappearance of the non-monotonicity of the microhardness dependences on the load due to the relaxation of elastic stresses. During storage, an increase in the microhardness of the photoresistive films was observed due to the crosslinking of phenol-formaldehyde resin molecules, This process was stimulated by decomposition of diazoquinone during ion implantation. After storage, the implanted photoresistive film is not subject to elastic-plastic recovery after removal of the load | |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.