Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329612Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жамойть, А. Е. | |
| dc.contributor.author | Фундаренко, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Соловьёв, Я. А. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:19Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:19Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 423-426. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329612 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Данная работа посвящена установлению влияния процесса оплавления индиевых шариковых выводов. Шариковые выводы формируются методом взрывной фотолитографии электронно-лучевым испарением индия. Оплавление проводилось в диапазоне температур 165–200 °С. Показано, что шариковый вывод приобретает требуемую сферическую форму при температуре оплавления 185 °C. Полученные результаты могут быть использованы для формирования межконтактных соединений в процессе изготовления инфракрасных приемников с квантовыми ямами | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Особенности формирования индиевых шариковых выводов для соединения методом flip-chip | |
| dc.title.alternative | Features of the formation of indium bumps for connection by flip-chip method / A. E. Zhamoit, A. N. Fundarenko, J. A. Solovjov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | This work is devoted to establishing the influence of the melting process of indium ball terminals. Ball terminals are formed by the method of explosive photolithography by electron beam evaporation of indium. The reflow was carried out in the temperature range of 165–200 °C. It has been shown that the ball pin acquires the required spherical shape at a melting temperature of 185 °C. The results obtained can be used to form contactless connections in the process of manufacturing infrared receivers with quantum wells | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 423-426.pdf | 385,12 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.