Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329608Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гусаков, Г. А. | |
| dc.contributor.author | Шаронов, Г. В. | |
| dc.contributor.author | Пузырев, М. В. | |
| dc.contributor.author | Еременко, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Королик, О. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:19Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:19Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 405-409. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329608 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Исследована графитизация монокристаллов синтетического алмаза, выращенных методом температурного градиента (НРНТ-метод), под воздействием наносекундных лазерных импульсов. Установлено, что технологические примеси и структурные дефекты оказывают определяющее влияние на порог графитизации НРНТ-алмаза под воздействием лазерного излучения. Также обнаружена зависимость структуры графитизированного слоя на поверхности алмаза от значений пороговой плотности энергии лазерного излучения. При низких пороговых плотностях энергиях в структуре графитизированного слоя преобладает аморфный углерод и кумуленовые фрагменты. С ростом пороговой плотности энергии лазерного излучения наблюдается увеличение доли нанокристаллического графита | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Графитизация монокристаллов синтетического алмаза под воздействием мощных лазерных импульсов | |
| dc.title.alternative | Graphitization of synthetic diamond single crystals under the influence of powerful laser pulses / G. A. Gusakov, G. V. Sharonov, M. V. Puzyrev, E. A. Eremenko, O. V. Korolik | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Graphitization of synthetic diamond single crystals grown by the temperature gradient method (HPHT method) under the influence of nanosecond laser pulses was studied. It has been established that technological impurities and structural defects have a decisive effect on the graphitization threshold of HPHT diamond under the influence of laser radiation. The dependence of the structure of the graphitized layer on the diamond surface on the values of the threshold energy density of laser radiation has also been found. At low threshold energy densities, amorphous carbon and cumulene fragments predominate in the structure of the graphitized layer. With an increase in the threshold energy density of laser radiation, an increase in the content of nanocrystalline graphite is observed | |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 405-409.pdf | 411 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.