Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329605Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гревцов, Н. Л. | |
| dc.contributor.author | Петрович, В. А. | |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:18Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:18Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 392-396. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329605 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Разработана методика электрохимического осаждения рения на подложки пористого кремния из сернокислых водных растворов на основе перрената аммония. На базе анализа значений выхода по току в различных условиях обработки установлено, что импульсные режимы позволяют в значительной мере повысить выход по току. Показано, что сернокислые растворы в меньшей мере применимы к пористым кремниевым подложкам, а введение в состав раствора фтористого аммония и использование в качестве регулятора рН фтористоводородной кислоты позволяет резко повысить буферные свойства раствора и минимизировать подщелачивание прикатодного пространства, создав более благоприятные условия для покрытий данных типов подложек | |
| dc.description.sponsorship | Исследования, представленные в настоящей работе, выполнены в рамках задания 4.1.5 «Разработка научных основ и технологических подходов к электрохимическому формированию композиционных покрытий» Государственной программы научных исследований Республики Беларусь «Материаловедение, новые материалы и технологии». | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Электрохимическое осаждение рения в пористый кремний | |
| dc.title.alternative | Electrodeposition of rhenium into porous silicon / N. L. Grevtsov, V. A. Petrovich, V. P. Bondarenko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | A basic methodology of rhenium electrodeposition on porous silicon substrates from sulfuric acid aqueous solutions containing ammonium perrhenate has been developed. Based on the analysis of current efficiency values under different processing conditions, it has been found that employing pulsed regimes significantly increases the efficiency of the process. It is concluded that sulfuric acid solutions are less applicable to porous silicon substrates while the introduction of ammonium fluoride into the solution and the use of hydrofluoric acid as a pH regulator allow to greatly increase the buffering properties of the solution and minimize the alkalinization of the near-cathode space, creating more favorable conditions for coating this type of substrate with rhenium | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 392-396.pdf | 343,54 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.