Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329604
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГревцов, Н. Л.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:18Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:18Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 386-392.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329604-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractРазработана методика формирования пленок сплавов кремний-германий на основе массивов кремниевых нитей, получаемых металл-стимулированным химическим травлением, путем заполнения пространства между нитями кристаллическим германием с последующей термообработкой, обеспечивающей сплавление материалов. Полученные пленки сплавов охарактеризованы с точки зрения структуры, а также оптических и электрофизических свойств. Показано, что пленки сплавов кремний-германий, формируемые предлагаемым методом, демонстрируют термоэлектрические характеристики, соответствующие лучшим представителям материалов такого типа
dc.description.sponsorshipИсследования, представленные в настоящем докладе, выполнены в рамках НИР «Формирование сплавов кремний-германий термообработкой композитов наноструктурированного кремния и германия для термоэлектрических преобразователей», выполняемой по гранту Белорусского научного фонда фундаментальных исследований (договор № Т23М-040)
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФормирование сплавов кремний-германий на основе массивов кремниевых нанонитей
dc.title.alternativeFabrication of silicon-germanium alloys based on arrays of silicon nanowires / N. L. Grevtsov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeA method of forming silicon-germanium alloy films is developed, entailing forming silicon nanowire arrays by metal-stimulated chemical etching, filling the gaps in-between the wires with crystalline germanium and subjecting the structure to rapid heat treatment. The resulting alloy films are characterized in terms of their structure as well as optical and electrophysical properties. It is concluded, that the silicon-germanium alloy films formed by the proposed method exhibit thermoelectric characteristics corresponding to the best representatives of materials of this type
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
386-392.pdf416,05 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.