Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329595
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Долматов, В. Ю. | |
dc.contributor.author | Лапчук, Н. М. | |
dc.contributor.author | Руденко, Д. В. | |
dc.contributor.author | Олешкевич, А. Н. | |
dc.contributor.author | Блинова, М. А. | |
dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:16Z | - |
dc.date.available | 2025-05-22T14:49:16Z | - |
dc.date.issued | 2025 | |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 343-348. | |
dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329595 | - |
dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
dc.description.abstract | О возможности применения детонационных наноалмазов (ДНА) в электронике. Перспективы формирования на основе наноалмаза полупроводниковых приборов и их конкурентоспособность по ряду энергетических и частотных параметров определяются возможностью получения легированного материала n- и p-типов проводимости | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Минск : БГУ | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | Особенности синтеза, легирования и очистки детонационных наноалмазов, как перспективного материала для нано- и спинэлектроники (пленарный доклад) | |
dc.title.alternative | Synthesis, doping and purification of detonation nanodiamonds as a promising material for nano- and spin-electronics (Plenary Report) / V. Yu. Dolmatov, N. M. Lapchuk, D. V. Rudenko, A. N. Oleshkevich, M. A. Blinova | |
dc.type | conference paper | |
dc.description.alternative | On the possibility of using detonation nanodiamonds (DND) in electronics. Prospects for the formation of semiconductor devices based on nanodiamond and their competitiveness in a number of energy and frequency parameters are determined by the possibility of obtaining doped material of n- and p-type conductivity | |
Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
343-348.pdf | 530,71 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.