Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329592Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Борздов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:15Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:15Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 27-31. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329592 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Многочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование флуктуаций плотности тока в кремниевой диодной n+–n–n+-структуре при постоянном напряжении на электродах с учетом процессов генерации-рекомбинации электронов через ловушки. Процессы генерации-рекомбинации включены в процедуру моделирования в качестве дополнительного механизма рассеяния. Рассчитаны автокорреляционные функции и спектральная плотность токовых флуктуаций для нескольких различных значений времени генерации и рекомбинации электронов при температуре кристаллической решетки 300 К | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование шумовых характеристик кремниевой диодной структуры с учетом процессов генерации-рекомбинации электронов | |
| dc.title.alternative | Simulation of silicon diode structure noise characteristics with account of electron generation-recombination processes / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, A. N. Petlitsky | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Ensemble Monte Carlo simulation of current density fluctuations in silicon n+–n–n+-diode structure has been performed for constant applied voltage with account of electron generation-recombination processes via traps. Generation-recombination processes have been included in the simulation procedure as an additional scattering mechanism. Autocorrelation and spectral density functions of the current fluctuations for some different values of electron generation and recombination times for the lattice temperature of 300 K have been calculated | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.