Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329589Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Олешкевич, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | |
| dc.contributor.author | Лапчук, Т. М. | |
| dc.contributor.author | Sambuu, Munkhtsetseg | |
| dc.contributor.author | Лапчук, Н. М. | |
| dc.contributor.author | Волобуев, В. С. | |
| dc.contributor.author | Мироненко, О. С. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:15Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:15Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 315-319. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329589 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | В работе проводился сопоставительный анализ результатов имплантации ионов фосфора и сурьмы в пленки полиэтилентерефталата и промышленного фоторезиста. Выбор ионов обусловлен стандартным применением их в промышленной микроэлектронике. Режимы имплантации ионов были идентичны для исследуемых образцов. Показано, что эффективность накопления парамагнитных центров, проявление электрофизических и структурных свойств зависят как от вида ионов, так и от свойств матрицы мишени, что позволит выбирать оптимальные режимы имплантации для полимерных материалов, применяемых в электронике | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние природы имплантируемого иона и вида полимерной матрицы на накопление парамагнитных дефектов в облученных образцах | |
| dc.title.alternative | Influence of the nature of the implantated ion and the type of polymer matrix on the accumulation of paramagnetic defects in irradiated samples / A. N. Oleshkevich, V. B. Odzhaev, T. M. Lapchuk, Munkhtsetseg Sambuu, N. M. Lapchuk, V. S. Volobuev, O. S. Mironenko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The work carried out a comparative analysis of the results of implantation of phosphorus and antimony ions into polyethylene terephthalate films and industrial photoresist. The choice of ions is due to their standard use in industrial microelectronics. The ion implantation modes were identical for the studied samples. It is shown that the efficiency of accumulation of paramagnetic centers, the manifestation of electrophysical and structural properties depend on both the type of ions and the properties of the target matrix, which will allow choosing the optimal implantation modes for polymeric materials used in electronics | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 315-319.pdf | 422,95 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.