Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329584Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мазаник, А. В. | |
| dc.contributor.author | Казючиц, Н. М. | |
| dc.contributor.author | Русецкий, М. С. | |
| dc.contributor.author | Казючиц, В. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:14Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:14Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 297-300. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329584 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Посредством полиэнергетической ионной имплантации бора были созданы барьерные структуры в легированных бором синтетических HPHT (синтезированных при высоких давлениях и температурах) алмазах. Формирование барьерной структуры связывается со смещением уровня Ферми в разупорядоченном ионами приповерхностном слое к середине запрещенной зоны. Приготовленные барьерные структуры демонстрировали чувствительность к излучению длиной волны 405 нм и к облучению электронами с энергией 10 кэВ, работая без внешнего источника напряжения | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Барьерные структуры на основе HPHT алмаза: фоточувствительность и ток, индуцированный электронным лучом | |
| dc.title.alternative | Barrier structures based on HPHT diamond: photosensitivity and electron beam induced current / A. V. Mazanik, N. M. Kazuchits, M. S. Rusetsky, V. N. Kazuchits | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Using multi-energy ion implantation, barrier structures based on boron-doped synthetic HPHT (synthesized at High Pressure and High Temperature) diamonds were prepared. The formation of the barrier structure is related to the shift of the Fermi level in the near surface layer damaged by ions to the middle of band gap. The prepared barrier structures exhibit sensitivity both to 405 nm illumination and 10 keV electron beam irradiation operating without the application of an external bias voltage | |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 297-300.pdf | 501,93 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.