Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329583Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Макаренко, Л. Ф. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:14Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:14Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 291-296. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329583 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ) проведено сравнительное изучение влияния энергетического спектра пучка быстрых электронов с первоначальной энергией 6 МэВ на процессы радиационного дефектообразования в кремнии и кремний-германиевых сплавах. Показано, что при толщине экранов меньше экстраполированного пробега электронов скорость образования комплексов с участием только одного первичного радиационного дефекта остается практически постоянной. Изменение средней энергии электронов пучка после прохождения через экран проявляется в уменьшении скорости образования комплексов, включающих в свой состав два первичных радиационных дефекта. Предлагается использовать экраны для моделирования энергетических спектров различных природных источников быстрых электронов с помощью ускорителя частиц | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние экранирования электронных пучков на скорость накопления радиационных дефектов в кремнии и кремний-германиевых сплавах | |
| dc.title.alternative | Effect of electron beam shielding on the accumulation rate of radiation defects in silicon and silicon-germanium alloys / S. B. Lastovskii, L. F. Makarenko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | A comparative study of the influence of the energy spectrum of a beam of fast electrons with an initial energy of 6 MeV on the processes of radiation defect formation in silicon and silicon-germanium alloys was carried out using the method of deep-level transient spectroscopy (DLTS). It was shown that when the screen thickness is less than the extrapolated electron range, the rate of formation of complexes involving only one primary radiation defect remains almost constant. A change in the average energy of the beam electrons after passing through the screen manifests itself in a decrease in the rate of formation of complexes that include two primary radiation defects. It is proposed to use screens to model the energy spectra of various natural sources of fast electrons using a particle accelerator | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 291-296.pdf | 445,15 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.