Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329581Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Барайшук, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Муродов, M. | - |
| dc.contributor.author | Абдулхаев, Х. | - |
| dc.contributor.author | Митюк, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Михалкович, О. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:13Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:13Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 23-27. | - |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329581 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | - |
| dc.description.abstract | Потенциал индуцированная деградация (ПИД) кремниевой подложки и сформированного на ней функционального слоя сенсорного или солнечного элемента, вызванная возникновением разности потенциалов между подложкой и корпусом в условиях облучения в видимом и инфракрасном диапазонах вызывает потерю их эффективности. В работе исследована деградация тонких пленок дисилицида молибдена, полученных на пластинах монокристаллического кремния (111) Si, с последующим облучением ионами Mo+ при ускоряющем потенциале 5 кВ–15 кВ | - |
| dc.language.iso | ru | - |
| dc.publisher | Минск : БГУ | - |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | - |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | - |
| dc.title | Изучение потенциал индуцированной деградации элементов для оптических ИК-газоанализаторов | - |
| dc.title.alternative | Study of the potential of induced degradation of elements for optical IR gas analyzers / S. M. Baraishuk, M. Murodov, Kh. Abdulkhaev, V. I. Mitsiuk, O. M. Mikhalkovich | - |
| dc.type | conference paper | - |
| dc.description.alternative | Potentially induced degradation of the silicon substrate and the functional layer of the sensor or solar cell formed on it, caused by the occurrence of a potential difference between the substrate and the case during irradiation in the visible and infrared ranges, leads to the loss of their performance. In this paper, the degradation of thin films of molybdenum disilicide obtained on wafers of monocrystalline silicon (111) Si with subsequent irradiation with Mo+ ions at an accelerating potential of 5 kV–15 kV was investigated | - |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.