Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329568Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Бурый, Е. Д. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:11Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:11Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 227-232. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329568 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Представлен аналитический обзор по проблеме воздействия импульсного ионизирующего излучения (ИИ) на электронные компоненты: полупроводниковые приборы (ПП) и интегральные схемы (ИС). Рассмотрены основные источники импульсного ИИ, радиационные эффекты в ПП и ИС при воздействии импульсных ИИ, методы моделирования и прогнозирования радиационной стойкости электронных компонентов при импульсном облучении | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Воздействие импульсного ионизирующего излучения на электронные компоненты | |
| dc.title.alternative | Effects of pulsed ionizing radiation on electronic components / Yu. V. Bogatyrev, D. A. Aharodnikau, E. D. Buri | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | An analytical review is presented on the problem of the impact of pulsed ionizing radiation (IR) on electronic components: semiconductor devices (SD) and integrated circuits (IC). The main sources of pulsed radiation sources, radiation effects in SDs and ICs under the influence of pulsed IRs, methods for modeling and predicting the radiation resistance of electronic components under pulsed irradiation are considered | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 227-232.pdf | 389,09 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.