Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329543Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Малютина-Бронская, В. В. | |
| dc.contributor.author | Сорока, С. А. | |
| dc.contributor.author | Лемешевская, А. М. | |
| dc.contributor.author | Цымбал, В. С. | |
| dc.contributor.author | Смирнов, А. Б. | |
| dc.contributor.author | Наджем, И. А. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:05Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:05Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 116-121. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329543 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | С помощью программного пакета TCAD Synopsys проведено приборно-технологическое моделирование пикселя мультипиксельного лавинного фотодиода видимого и ближнего инфракрасного диапазонов спектра. По результатам технологического моделирования пикселя на разных эпитаксиальных плёнках 4КЭФ0,8 и 6КЭФ1,5 были получены: вертикальная структура пикселя и профили легирования. По результатам приборного моделирования на разных эпитаксиальных плёнках 4КЭФ0,8 и 6КЭФ1,5 были получены значения пробивных напряжений от дозы легирования кармана под анод и значения емкости пикселей; определены коэффициент отражения для просветляющего покрытия и максимумы спектральной чувствительности для различной эпитаксии | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Приборно-технологическое моделирование кремниевых мультипиксельных ЛФД видимого и ближнего ИК диапазонов спектра | |
| dc.title.alternative | Instrumentation and technological modeling of silicon multipixel APD of visible and near IR spectrum range / V. V. Malyutina-Bronskaya, S. A. Soroka, A. M. Lemeshevskaya, V. S. Tsymbal, A. B. Smirnov, I. A. Najem | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Using the TCAD Synopsys software solution, device characteristics and technological modeling of a pixel of a multipixel avalanche photodiode of the visible and near infrared spectrum ranges was carried out. Based on the results of technological modeling of a pixel on different epitaxial films 4KEF0.8 and 6KEF1.5, the following were obtained: vertical pixel structure and doping profiles. Based on the results of device characteristics modeling on different epitaxial films 4KEF0.8 and 6KEF1.5, the breakdown voltage values depending on the doping dose of the anode pocket, pixel capacitance values were obtained; the reflectivity for the antireflection coating and spectral sensitivity maxima for different epitaxy were determined | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 116-121.pdf | 446,3 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.