Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329526Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ворсин, Н. Н. | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, А. А. | |
| dc.contributor.author | Кушнер, Т. Л. | |
| dc.contributor.author | Тарасюк, Н. П. | |
| dc.contributor.author | Чугунов, С. В. | |
| dc.contributor.author | Чугунова, Э. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:01Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:01Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 58-60. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329526 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Гетеропереходные полевые транзисторы (ГПТ) (в англоязычной литературе – HEMT) на основе нитрида галлия обладают хорошими характеристиками, недостижимыми в кремниевых приборах [1]. Широкая запрещённая зона GaN – 3,4 эВ позволяет устройствам работать при высоких температурах, кроме того, GaN имеет высокое значение напряжённости поля пробоя 3,3 МВ/см, что на порядок больше этого параметра в Si и позволяет создавать высоковольтные приборы. Гетеропереход на границе AlGaN/GaN создаёт двумерный электронный газ (ДЭГ) высокой плотности, порядка 10 13 см−2. Подвижность электронов, образующих ДЭГ, весьма высока. Благодаря этим качествам ГПТ на основе AlGaN/GaN обладают низким сопротивлением канала, высокой плотностью тока в нем, что необходимо для создание мощных высокоскоростных приборов [2]. В настоящей работе описана созданная компьютерная модель ГПТ AlGaN/GaN с простым плоским затвором и размерами, использованными в опытном производстве | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование мощного исходно открытого гетеропереходного полевого транзистора на основе нитрида галлия | |
| dc.title.alternative | Modeling of a powerful initially open heterojunction field-effect transistor based on gallium nitride / N. N. Vorsin, A. A. Gladyshuk, T. L. Kushner, N. P. Tarasyuk, S. V. Chugunov, E. V. Chugunova | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Heterojunction Field-Effect Transistors (HEMT) based on gallium nitride have good characteristics unattainable in silicon devices [1]. The wide band gap of GaN – 3.4 eV allows the devices to operate at high temperatures, in addition, GaN has a high value of the breakdown field strength of 3.3 MV/cm, which is an order of magnitude greater than this parameter in Si and allows creating high-voltage devices. The heterojunction at the AlGaN/GaN boundary creates a two-dimensional electron gas (2 DEG) of high density, about 10 13 cm−2. The mobility of electrons forming the 2 DEG is very high. Due to these qualities, HEMT based on AlGaN/GaN have low channel resistance, high current density in it, which is necessary for creating powerful high-speed devices [2]. In this paper, a computer model of an AlGaN/GaN HEMT with a simple flat gate and dimensions used in pilot production is described | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.