Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329515Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | |
| dc.contributor.author | Свистун, А. И. | |
| dc.contributor.author | Пантелеев, К. В. | |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:48:58Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:48:58Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 52-57. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329515 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Одним из способов решения многообразных задач оптической диагностики является использование фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью, слабо легированных глубокими примесями, формирующими несколько уровней с разными зарядовыми состояниями в запрещённой зоне. Особенности физических процессов перезарядки этих уровней позволяют создавать фотоприёмники с различными функциональными возможностями на основе ряда простых приборных структур | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Мультипараметрические сенсоры на основе полупроводников с многозарядными примесями | |
| dc.title.alternative | Multi – parametric sensors based on semiconductors with multicharging impurities / R. I. Vorobey, O. K. Gusev, A. I. Svistun, K. V. Pantsialeyev, K. L. Tyavlovsky, L. I. Shadurskaya | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | One of the ways to solve multiple problems of optical diagnostics is to use photovoltaic converters based on semiconductors with intrinsic photoconductivity slightly doped with deep impurities, which form several energy levels with different charge states within the semiconductor’s bandgap. Peculiarities of physical processes of recharging these levels make it possible to construct photodetectors with different functionality based on a range of simple device structures | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.