Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329513Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Харченко, А. А. | |
| dc.contributor.author | Федотов, А. К. | |
| dc.contributor.author | Федотова, Ю. А. | |
| dc.contributor.author | Чичков, М. В. | |
| dc.contributor.author | Малинкович, В. Д. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:48:58Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:48:58Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 566-571. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329513 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Температурные зависимости CVD графена выращенного на медной фольге с последующим переносом на подложку SiO2 описываются в рамках комбинации двух механизмов: проводимость Друде в условиях слабой локализации и активационного механизма. Показано, что в CVD графене наблюдается изменение характера проводимости во времени, проявляющееся в уменьшении сопротивления и снижении вклада активационного механизма в проводимость | |
| dc.description.sponsorship | Работа финансировалась в рамках государственной программы научных исследований «ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций», 2021–2025 годы», «Микро- и наноэлектроника») № г.р. 20212560. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Изменение проводимости поликристаллического однослойного графена во времени | |
| dc.title.alternative | Time variation of conductivity of polycrystalline single-layer graphene / A. A. Kharchanka, A. K. Fedotov, J. A. Fedotova, M. V. Chichkov, M. D. Malinkovich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Temperature dependences of CVD graphene grown on copper foil with subsequent transfer to SiO2 substrate are described within the framework of a combination of two mechanisms: Drude conductivity under weak localization conditions and an activation mechanism. It is shown that in CVD graphene, a change in the nature of carrier transport is observed over time, manifested in the lowering of resistance and a decrease in the contribution of the activation mechanism to conductivity | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 566-571.pdf | 438,6 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.