Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329512
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorХарченко, А. А.
dc.contributor.authorФедотова, Ю. А.
dc.contributor.authorФедотов, А. К.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:48:58Z-
dc.date.available2025-05-22T14:48:58Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 560-565.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329512-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractОбнаружено, что в дефектных графитовых слоях толщиной ≈ 20 нм, которые получены методом химического осаждения из газовой фазы, усиленной микроволновой плазмой (PECVD), без использования легирования магнитными ионами наблюдается отрицательный магниторезистивной эффект (ОМР) в поле до 8 Тл при ориентации магнитного поля вдоль плоскости образца. Показано, что наиболее вероятным механизмом ОМР является рассеяние электронов на локализованных магнитных моментах
dc.description.sponsorshipРабота финансировалась в рамках государственной программы научных исследований «ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций», 2021–2025 годы», «Микро- и наноэлектроника») № г.р. 20212560.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМагнетотранспортные свойства углеродной наноструктуры, полученной методом PECVD
dc.title.alternativeMagnetotransport properties of carbon nanostructure produced by PECVD / A. A. Kharchanka, A. K. Fedotov, J. A. Fedotova
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeIt has been found that in defective graphite layers with a thickness of ≈ 20 nm, which were obtained by the method of chemical vapor deposition enhanced by microwave plasma (PECVD) without doping with magnetic ions, a negative magnetoresistive (NMR) effect is observed in a field of up to 8 T with the orientation of the magnetic field along the plane of the sample. It has been shown that the most probable mechanism of NMR effect is the scattering of electrons on localized magnetic moments
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
560-565.pdf388,39 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.