Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329509
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorУролбоев, Х.
dc.contributor.authorМавлонов, Г. Х.
dc.contributor.authorСаттаров, О. Э.
dc.contributor.authorТачилин, С. А.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:48:57Z-
dc.date.available2025-05-22T14:48:57Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 545-550.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329509-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractПоказано, что кремний с магнитными нанокластерами атомов марганца является новым перспективным материалом для современной спинтроники и оптоэлектроники, также можно использовать такой материал для создания чувствительных магнитных и фотомагнитных приборов. Экспериментально доказано, что в условиях низкотемпературной диффузии не только возможно получение образцов кремния без эрозии поверхности, без образования силицидов в приповерхностной области, но и возможно равномерное легирование образца марганцем с необходимой концентрацией и заданной глубиной. В образцах кремния с максимальной концентрацией магнитных кластеров в области низких температур до Т = 30 К наблюдается ферромагнитное состояние
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВыбор атомов марганца в качестве парамагнитной примеси в кремнии
dc.title.alternativeSelection of manganese atoms as a paramagnetic impurity in silicon / Kh. Urolboev, G. Kh. Mavlonov, O. E. Sattarov, S. A. Tachilin
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeIt is shown that silicon with magnetic nanoclusters of manganese atoms is a new promising material for modern spintronics and optoelectronics; such material can also be used to create sensitive magnetic and photomagnetic devices. It has been experimentally proven that under conditions of low-temperature diffusion it is not only possible to obtain silicon samples without surface erosion, without the formation of silicides in the near-surface region, but also possible to uniformly alloy the sample with manganese at the required concentration and specified depth In silicon samples with the maximum concentration of magnetic clusters in the low temperature region up to T = 30 K, a ferromagnetic state is observed
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
545-550.pdf391,57 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.