Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329499
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorОлешкевич, А. Н.
dc.contributor.authorДолматов, В. Ю.
dc.contributor.authorЛапчук, Н. М.
dc.contributor.authorЛапчук, Т. М.
dc.contributor.authorНгуен Т. Т. Бинь
dc.date.accessioned2025-05-22T14:48:56Z-
dc.date.available2025-05-22T14:48:56Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 498-504.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329499-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractИсследованные методом ЭПР в идентичных условиях образцы алмаза различного происхождения (природный, синтетический, CVD-алмаз и наноалмаз) показали, что в условиях насыщения спиновой системы СВЧ мощностью в алмазах различного происхождения проявляются отличительные свойства, обусловленные как собственными, так и примесными дефектами, влияющими на параметры спектров ЭПР исследованных образцов. Температурный отжиг парамагнитных дефектов в алмазах в диапазоне температур 30–1000 °C показал, что на параметры спектров ЭПР при отжиге влияет природа вхождения дефектов в алмаз, что объясняет не только количественную, но и качественную трансформацию электрофизических свойств изученных алмазов при отжиге
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleСопоставительный анализ динамики отжига парамагнитных центров в природных, CVD- и нано кристаллических алмазах
dc.title.alternativeComparative analysis of the annealing dynamics of paramagnetic centers in natural, CVD and nano crystalline diamonds / A. N. Oleshkevich, V. Yu. Dolmatov, N. M. Lapchuk, T. M. Lapchuk, Nguyen T. T. Binh
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe EPR samples of diamonds of different origins (natural, synthetic, CVD diamond and nanodiamond) studied under identical conditions showed that under conditions of spin system saturation with microwave power, diamonds of different origins exhibit distinctive properties caused by both intrinsic and impurity defects that affect the parameters of the EPR spectra of the studied samples. Temperature annealing of paramagnetic defects in diamonds in the temperature range of 30–1000 °C showed that the parameters of the EPR spectra during annealing are affected by the nature of defects entering the diamond, which explains not only the quantitative but also the qualitative transformation of the electro-physical properties of the studied diamonds during annealing
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
498-504.pdf449,23 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.