Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329498
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПоклонский, Н. А.
dc.contributor.authorБакланов, Т. И.
dc.contributor.authorВырко, С. А.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:48:56Z-
dc.date.available2025-05-22T14:48:56Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 493-498.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329498-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractВпервые аналитически решена задача о дрейфовой миграции одиночного электрона проводимости в квазиодномерном кристаллическом полупроводнике с индуктивным окружением. При однофотонном межзонном возбуждении полупроводника (как двухполюсника) вблизи катода, электрон дрейфует к аноду. Влияние внешней распределенной индуктивности на дрейф фотоэлектрона учитывалось посредством введения эффективной индуктивной массы электропроводности электрона. В приближении Друде–Лоренца показано, что разность между индуктивной массой электрона и его обычной эффективной массой в отсутствие индуктивного окружения пропорциональна погонной индуктивности окружения
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (грант № Ф23РНФ-049).
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleЭффективная масса электрона проводимости в квазиодномерной системе «кристаллический полупроводник – магнитный диэлектрик»
dc.title.alternativeEffective mass of conduction electron in quasi-one-dimensional system “crystalline semiconductor–magnetic dielectric” / N. A. Poklonski, T. I. Baklanov, S. A. Vyrko
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe problem of drift migration of a single conduction electron in a quasi-one-dimensional crystalline semiconductor with an inductive environment is analytically solved for the first time. At single-photon interband excitation of the semiconductor (as a two-terminal network) near the cathode, the electron drifts to the anode. The influence of the external distributed inductance on the photoelectron drift is taken into account by introducing the effective inductive conductivity mass of the electron. In the Drude–Lorentz approximation, it is shown that the difference between the inductive mass of the electron and its usual effective mass in the absence of an inductive environment is proportional to the running inductance of the environment
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
493-498.pdf346,28 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.