Эффективная масса электрона проводимости в квазиодномерной системе «кристаллический полупроводник – магнитный диэлектрик»

Поклонский, Н. А.; Бакланов, Т. И.; Вырко, С. А.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329498

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Поклонский, Н. А.
dc.contributor.author	Бакланов, Т. И.
dc.contributor.author	Вырко, С. А.
dc.date.accessioned	2025-05-22T14:48:56Z	-
dc.date.available	2025-05-22T14:48:56Z	-
dc.date.issued	2025
dc.identifier.citation	Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 493-498.
dc.identifier.isbn	978-985-881-739-8
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/329498	-
dc.description	Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstract	Впервые аналитически решена задача о дрейфовой миграции одиночного электрона проводимости в квазиодномерном кристаллическом полупроводнике с индуктивным окружением. При однофотонном межзонном возбуждении полупроводника (как двухполюсника) вблизи катода, электрон дрейфует к аноду. Влияние внешней распределенной индуктивности на дрейф фотоэлектрона учитывалось посредством введения эффективной индуктивной массы электропроводности электрона. В приближении Друде–Лоренца показано, что разность между индуктивной массой электрона и его обычной эффективной массой в отсутствие индуктивного окружения пропорциональна погонной индуктивности окружения
dc.description.sponsorship	Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (грант № Ф23РНФ-049).
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Эффективная масса электрона проводимости в квазиодномерной системе «кристаллический полупроводник – магнитный диэлектрик»
dc.title.alternative	Effective mass of conduction electron in quasi-one-dimensional system “crystalline semiconductor–magnetic dielectric” / N. A. Poklonski, T. I. Baklanov, S. A. Vyrko
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	The problem of drift migration of a single conduction electron in a quasi-one-dimensional crystalline semiconductor with an inductive environment is analytically solved for the first time. At single-photon interband excitation of the semiconductor (as a two-terminal network) near the cathode, the electron drifts to the anode. The influence of the external distributed inductance on the photoelectron drift is taken into account by introducing the effective inductive conductivity mass of the electron. In the Drude–Lorentz approximation, it is shown that the difference between the inductive mass of the electron and its usual effective mass in the absence of an inductive environment is proportional to the running inductance of the environment
Appears in Collections:	2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
493-498.pdf		346,28 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar