Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/31642| Заглавие документа: | Фотоприемники на основе поли-SiGe/Si структур, модифицированных лазерной обработкой |
| Авторы: | Гайдук, П. И. Зайков, В. А. Прокопьев, С. Л. Казючиц, Н. М. Русецкий, М. С. Ивлев, Г. Д. Наливайко, О. Ю. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника: восьмая Междунар. науч.-техн.конф. (Минск, 22–25 ноября 2010 г.): материалы. – Мн.,2010. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/31642 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ФОТОПРИЕМНИКИ НА ОСНОВЕ ПОЛИ -SiGeSi СТРУКТУР, МОДИФИЦИРОВАННЫХ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКОЙ.pdf | 171,6 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.