Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/316075
Title: Формирование силицидов в двухслойных структурах никель-ванадиевый сплав – платина на кремнии при быстрой термической обработке
Other Titles: Formation of the silicides in two-layer structures nickel-vanadium alloy – platinum on silicon during rapid heat treatment / J. A. Solovjov, P. I. Gaiduk
Authors: Соловьёв, Я. А.
Гайдук, П. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Ядерная техника
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2024
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. – 2024. – № 2. – С. 57-68
Abstract: Методами резерфордовского обратного рассеяния, рентгенофазового анализа, просвечивающей электронной микроскопии и просвечивающей электронной дифракции исследовано влияние температуры быстрой термической обработки структур никель-ванадиевый сплав – платина на кремниевых подложках с ориентацией (111) на структурно-фазовые превращения в формирующихся слоях силицидов и их контактно-барьерные свойства. Толщина слоя никель-ванадиевого сплава (93 мас. % Ni, 7 мас. % V) составляла от 20 до 60 нм, толщина слоя платины – 40 нм. Быструю термическую обработку проводили в режиме теплового баланса путем облучения обратной стороны подложек некогерентным световым потоком кварцевых галогенных ламп постоянной мощности в среде азота в течение 7 с до достижения температуры от 400 до 600 °С. Обнаружено, что при температуре 400 °С на границе раздела с кремнием формируется слой PtSi. Увеличение температуры до 450 °С приводит к диффузии никеля из поверхностного слоя к подложке с последующим образованием на границе раздела с кремнием квазиэпитаксиальных доменов NiSi. При температуре выше 500 °С происходят усиление диффузии платины к границе раздела с кремнием и формирование двойного силицида NiPtSi. В диапазоне температур от 550 до 600 °С профиль распределения никеля и платины по толщине силицидного слоя становится равномерным. При этом содержание в нем никеля пропорционально исходной толщине слоя никель-ванадиевого сплава, а ванадий после быстрой термической обработки локализуется в приповерхностной области силицидного слоя и не влияет на его контактно-барьерные свойства. Установлено, что силицидный слой с уменьшенной дефектностью границы раздела с кремнием и наилучшей воспроизводимостью высоты барьера Шоттки формируется при температуре 550 °С. При изменении толщины слоя никель-ванадиевого сплава высота барьера Шоттки в этом случае варьируется от 0,77 до 0,81 В.
Abstract (in another language): Using Rutherford backscattering, X-ray phase analysis, transmission electron microscopy and transmis sion electron diffraction methods, the effect of the temperature of rapid heat treatment of two-layer structures nic kel-vanadium alloy – platinum on silicon substrates with orientation (111) on structural-phase transformations in the for ming silicide layers and their contact barrier properties. The thickness of the nickel-vanadium alloy layer (93 wt. % Ni, 7 wt. % V) was from 20 to 60 nm, the thickness of the platinum layer was 40 nm. Rapid heat treatment was carried out in the thermal balance mode by irradiating reverse side of the substrates with an incoherent light flux of quartz halogen lamps of constant power in a nitrogen ambient for 7 s until a temperature of 400 to 600 °C. It was found that at a tempe rature of 400 °C, a PtSi layer is formed at the interface with silicon. At a temperature of 450 °C, nickel diffusion from the surface layer to the substrate is observed, followed by the formation of quasi-epitaxial NiSi domains at the interface with silicon. At temperatures above 500 °C, increased diffusion of platinum to the interface with silicon is observed with the formation of NiPtSi silicide composition. At the temperatures from 550 to 600 °C, the nickel and platinum distribution over the layer thickness becomes uniform. The nickel content in it is proportional to the initial thickness of the nickel-vanadium alloy layer, and the vanadium is localised in the near-surface region of the silicide layer and does not affect the contact barrier properties. It has been established that a silicide layer with minimal defects in the interface with silicon and the best reproducibility of the Schottky barrier height is formed at a temperature of 550 °C. In this case the Schottky barrier height varies from 0.77 to 0.81 V when the thickness of the nickel-vanadium alloy layer changes.
Description: Работа выполнена в рамках проектов государственных программ научных исследований «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (№ гос. регистрации 20191100) и «Фотоника и электроника для инноваций» (№ гос. регистрации 20212702). Авторы признательны О. В. Мильчанину и С. В. Злоцкому за помощь в проведении эксперимента. = This work was carried out within the framework of projects of the state programmes of scientific research «Photonics, opto- and microelectronics» (state registration No. 20191100) and «Photonics and electronics for innovations» (state registration No. 20212702). The authors are grateful to O. V. Milchanin and S. V. Zlotsky for assistance in performing the experiment.
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/316075
ISSN: 2520-2243
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2024, №2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
57-68.pdf2,44 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.