Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/307001
Заглавие документа: | Effect of morphology on the phonon thermal conductivity in Si/Ge superlattice nanowires |
Авторы: | Khaliava, I.I. Khamets, A.L. Safronov, I.V. Filonov, A.B. Suemasu, T. Migas, D.B. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2023 |
Издатель: | IOPScience |
Библиографическое описание источника: | Japanese Journal of Applied Physics 62 (SD), SD1013 (2023) |
Аннотация: | We used nonequilibrium molecular dynamics to investigate the role of morphology in the phonon thermal conductivity of 〈100〉, 〈110〉, 〈111〉 and 〈112〉-oriented Si/Ge superlattice nanowires at 300 K. Such nanowires with 〈112〉 growth direction were found to possess the lowest values of the thermal conductivity [1.6 W/(m·K) for a Si and Ge segment thickness of ∼3 nm] due to the lowest average group velocity and highly effective {113} facets and Si/Ge(112) interface for phonon-surface and phonon-interface scattering, respectively. Comparison with homogeneous and core/shell Si and Ge nanowires showed that the superlattice morphology is the most efficient to suppress the thermal conductivity. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/307001 |
DOI документа: | 10.35848/1347-4065/aca912 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) |
Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.