Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305444| Заглавие документа: | Моделирование фотоотклика в кремниевых фотодиодах с p-n-переходом и pin-структурой |
| Другое заглавие: | Simulation of photoresponse in silicon photodiodes with p-n-junction and pin-structure / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, A. N. Petlitsky |
| Авторы: | Борздов, А. В. Борздов, В. М. Петлицкий, А. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 274-277. |
| Аннотация: | Многочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование фотоотклика в кремниевых фотодиодах с p-n-переходом и pin-структурой при воздействии пикосекундных импульсов излучения с длиной волны 532 нм. Рассмотрены диодные структуры с различной глубиной залегания p-n-перехода и различной толщиной нелегированной области pin-структуры |
| Аннотация (на другом языке): | Ensemble Monte Carlo simulation of current photoresponse in silicon photodiodes with p-n-junction and pin-structure under the effect of picosecond pulses of irradiation at 532 nm wavelength has been performed. The diode structures with different p-n-junction depths and pin-structures with different thickness of undoped regions have been regarded |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305444 |
| ISBN: | 978-985-881-530-1 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 274-277.pdf | 1,6 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.