Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305355Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Сиренко, О. С. | |
| dc.contributor.author | Игнатович, С. А. | |
| dc.contributor.author | Щербич, И. Д. | |
| dc.contributor.author | Лобанок, М. В. | |
| dc.contributor.author | Людчик, О. Р. | |
| dc.date.accessioned | 2023-12-01T07:24:56Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-01T07:24:56Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 453-456. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-530-1 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305355 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты измерения слоевого сопротивления структур TiAlСN/TiAlN (600 и 20 нм), сформированные на стеклянных подложках методом магнетронного распыления и облученных наносекундными (~60 нс) импульсами Nd:YAG лазера с плотностью энергии W = 0.24−1.2 Дж/см2. Показано, что увеличение плотности энергии лазерного облучения приводит к изменению слоевого сопротивления и оптических характеристик структур TiAlСN/TiAlN | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Электрофизические характеристики структур TiAlСN/TiAlN, модифицированных наносекундной импульсной лазерной обработкой | |
| dc.title.alternative | Electrophysical characteristics of TiAlСN/TiAlN structures modified by nanosecond pulse laser processing / O. S. Sirenko, S. A. Ignatovich, I. D. Shcherbich, M. V. Labanok, O. R. Lyudchik | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The results of measuring the layer resistance of TiAlСN/TiAlN structures (600 and 20 nm), formed on glass substrates by magnetron sputtering and irradiated with nanosecond (~ 60 ns) Nd:YAG laser pulses with an energy density W = 0.24−1.2 J/cm2, are presented. It has been shown that an increase in the energy density of laser irradiation leads to a change in the layer resistance and optical characteristics of TiAlСN/TiAlN structures | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 453-456.pdf | 1,59 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.