Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304362| Заглавие документа: | Механизм электронной проводимости пленок SiO2, имплантированных большими дозами ионов In+ и Sb+ |
| Другое заглавие: | Electronic conductivity mechanism of SiO2 films implanted with high doses of In+ and Sb+ ions / A.K. Fedotov, I.E. Tyschenko, V.Yu. Slabukha, J.A. Fedotova |
| Авторы: | Федотов, А. К. Тысченко, И. Е. Слабухо, В. Ю. Федотова, Ю. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 314-316. |
| Аннотация: | Исследованы поперечные вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур металл-диэлектрикполупроводник (МДП) на основе пленок SiO2, имплантированных ионами In+ и Sb+ до и после отжига при температурах 800 и 1100 °С. Вольт-амперные характеристики исследовались как функция электрического поля в диапазоне от 3×10 6 до 7×10 7 В/м и температуры в интервале 2-300 К. Установлено, что при температурах < 40 К и полях Е ≤ 1×10 7 В/м ВАХ описываются в рамках модели токов ограниченных пространственным зарядом Мотта-Гурни для моноэнергетических ловушек. При температурах > 40 К и полях > 1×10 7 В/м ВАХ описываются в рамках усовершенствованной модели токов, ограниченных пространственным зарядом Марка-Хельфриха с экспоненциальным распределением ловушек по энергиям. С ростом температуры отжига энергетический интервал локализованных состояний на хвостах распределения плотности состояний, занятых носителями заряда, увеличивается. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения эволюции структурных свойств имплантированных ионами пленок SiO2 |
| Аннотация (на другом языке): | InSb nanocrystals were produced in the 280 nm thick SiO2 layers by the Sb+ - and In+-ion implantation at the ion energy of 200 keV and doses 8.0×0 15 cm-2 . P-type (100)-oriented Si wafers were used as substrates. The used ion implantation parameters allowed to form Gauss-like In and Sb atom distributions with the peak concentrations ~1.2×10 21 cm-3 at a depth of about 110 nm below the top of SiO2 surface. Before the subsequent annealing, the 600 nm thick Si layer was transferred onto the ion-implanted SiO2 layer. Then the wafers were cut into small pieces, which were heat-treated at the temperature of 800 or 1100 °С for 30 min in the N 2 ambient. Before the electric measurements, the top silicon layer was removed. Metal-oxide-semiconductor (MOS) structures were produced on the samples before and after annealing. Transverse current-voltage (I-V) characteristics were measured as a function of the electric field in the range from 3×10 6 to 7×10 7 V/m and temperature in the range 2-300 K. It was established that at temperatures <40 K and fields E ≤ 1×10 7 V/m, the I-V characteristics are described within the framework of the Mott-Gurney model corresponded to currents limited by space charge localized at monoenergetic traps. At temperatures > 40 K and fields >1×10 7 V/m, the I-V characteristics are described within the framework of the Mark-Helfrich model developed for currents limited by space charges localized at the exponential energy distributed trap levels. As the annealing temperature was grown from 800 to 1100 °С, the energy range of the states localized at the distribution tails and occupied by charge carriers, increased. The results obtained are discussed in the frame of the structural evolution in the ion implanted SiO2 films |
| Доп. сведения: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation influence on the structure and properties of materials |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304362 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 314-316.pdf | 1,33 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.