Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304318| Заглавие документа: | Некоторые особенности ионной имплантации в сверхширокозонном полупроводнике β-Ga2O3 |
| Другое заглавие: | Some features of ion implantation in ultrawide band gap semiconductor β-Ga2O3 / A.A. Nikolskaya, D.S. Korolev, A.N. Mikhaylov, A.V. Kudrin, V.N. Trushin, P.A. Yunin, M.N. Drozdov, A.A. Konakov, A.A. Revin, E.V. Okulich, D.I. Tetelbaum |
| Авторы: | Никольская, А. А. Королев, Д. С. Михайлов, А. Н. Кудрин, А. В. Трушин, В. Н. Юнин, П. А. Дроздов, М. Н. Конаков, А. А. Ревин, А. А. Окулич, Е. В. Тетельбаум, Д. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 186-188. |
| Аннотация: | Оксид галлия (Ga2O3) в последнее время привлекает большое внимание в связи с перспективой его применения в силовой электронике и ряде других областей. При этом важную роль играет разработка контролируемых и воспроизводимых способов легирования этого материала различными примесями. Наиболее употребительным методом легирования полупроводников является ионная имплантация. Однако, для Ga2O3 исследование закономерностей ионной имплантации находится еще в начальной стадии. В настоящей работе начат цикл работ по выявлению закономерностей ионно-лучевой модификации свойств Ga2O3. Рассмотрено изменение структуры и электрофизических параметров слоев монокристаллического β-Ga2O3, подвергнутого облучению ионами Si+, в зависимости от режимов имплантации и последующего отжига. Обсуждаются фазовые превращения в эпитаксиальных плёнках Ga2O3, облученных ионами Si+. Исследовано изменение структурного совершенства слоев β-Ga2O3 в процессе облучения ионами B+ и последующего отжига. Обнаружено сильное перераспределение имплантированного бора в процессе постимплантационного отжига |
| Аннотация (на другом языке): | Gallium oxide (Ga2O3) has recently received considerable attention due to its potential application in power electronics and a variety of other areas. At the same time, it is important to develop controlled and reproducible methods for doping this material with various impurities. Among the most commonly used methods for doping semiconductors is ion implantation. However, for Ga2O3, the study of the regularities of ion implantation is still in its early stages. In this study, a series of experiments aimed at revealing the patterns of ion-beam modification of Ga2O3 properties has been initiated. The changes in the structure and electrical parameters of single-crystal β-Ga2O3 layers after being subjected to Si+ ion irradiation are analyzed, taking into consideration the implantation mode and subsequent annealing. Additionally, it discusses the phase transformations of Ga2O3 epitaxial films caused by Si+ ion irradiation. The research investigates the changes in the structural perfection of β-Ga2O3 layers during irradiation with B+ ions and subsequent annealing. Strong boron implant redistribution was discovered during post-implantation annealing |
| Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304318 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 23-79-00052, https://rscf.ru/project/23-79-00052/. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 186-188.pdf | 286,74 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.