Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/304305
Заглавие документа: Модель формирования кластеров дефектов в ионно-облученном кремнии: усеченная версия
Другое заглавие: Model of the formation of defect clusters in ion-irradiated silicon: compact version / Viktor Belko
Авторы: Белько, В. И.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2023
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 149-151.
Аннотация: Для моделирования процесса формирования {311}-дефектов в кремнии во время постимплантационного отжига применяется модель, которая состоит из шести обыкновенных дифференциальных уравнений реакции, описывающих динамику свободных междоузлий, малых кластеров междоузлий трех размеров, концентрацию междоузлий в {311}-дефектах и концентрацию {311}-дефектов. Получены концентрации собственных междоузлий в {311}-дефектах в зависимости от времени при типичных значениях температуры отжига. Показано, что данная компактная модель является приемлемой и в то же время намного более экономичной альтернативой для модели, основанной на полной системе уравнений реакции
Аннотация (на другом языке): To simulate the formation of {311}-defects in silicon during post-implantation annealing, a model is used that consists of six ordinary differential equations that describe the dynamics of free interstices, small clusters of interstices of three sizes, the concentration of interstices in {311} defects, and the concentration of {311}-defects. The concentrations of intrinsic interstices in {311}-defects in silicon are obtained as a function of time at typical annealing temperatures. It is shown that this compact model is an acceptable and at the same time much more economical alternative to the model based on the full system of reaction equations
Доп. сведения: Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/304305
ISSN: 2663-9939 (Print)
2706-9060 (Online)
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2023. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
149-151.pdf417,12 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.