Резонансное рассеяние при двухфотонном возбуждении в полупроводниках А2В6 со структурой вюртцита

Семенова, Л. Е.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/304290

Title:	Резонансное рассеяние при двухфотонном возбуждении в полупроводниках А2В6 со структурой вюртцита
Other Titles:	Resonant scattering under two-photon excitation in A2B6 semiconductors with the wurtzite structure / Ludmila Semenova
Authors:	Семенова, Л. Е.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2023
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 108-110.
Abstract:	Рассмотрено резонансное гиперкомбинационное рассеяние света в гексагональных полупроводниках А2В6. Исследовано влияние возможных дипольных переходов на более глубокую валентную зону на частотную зависимость сечения рассеяния для CdSe и ZnO
Abstract (in another language):	The paper deals with resonant hyper-Raman scattering of light by LO phonons in А2В6 semiconductors with the wurtzite structure. The scattering process involving two-photon transitions to B and C excitons of the s-type was considered taking into account possible dipole transitions to the deeper valence band. Their influence on the frequency dependence of the scattering cross section was investigated for CdSe and ZnO
Description:	Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of radiation and plasma interaction with solids
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/304290
ISSN:	2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online)
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2023. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
108-110.pdf		570,9 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar