Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304287Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Назаров, А. В. | |
| dc.contributor.author | Черныш, В. С. | |
| dc.contributor.author | Иешкин, А. Е. | |
| dc.contributor.author | Киреев, Д. С. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:48Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:48Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 99-101. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304287 | - |
| dc.description | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of radiation and plasma interaction with solids | |
| dc.description.abstract | Газовые кластерные ионы являются инструментом, который находит применение в задачах обработки поверхностей твердотельных мишеней для нужд электроники, оптики, сенсорики и др., а также в различных аналитических методиках. Основным явлением, лежащим в основе этих практических применений, является распыление под действием кластерного облучения. В работе изучены угловые и энергетические распределения атомов, распылённых с однокомпонентных металлических поверхностей кластерными ионами различных инертных газов при различных значениях средней энергии, приходящейся на один атом кластера (E/n). Также изучен процесс передачи энергии кластера атомам мишени для различных масс атомов кластера и мишени. Выявлены различия в механизмах взаимодействия кластера с поверхностью в различных диапазонах E/n, обсуждается применимость модели тепловых пиков для описания энергетических распределений распылённых атомов | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, соглашение № 075-15-2021-1353. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Дифференциальные характеристики распыления поверхности металлов газовыми кластерными ионами | |
| dc.title.alternative | The differential quantities of metal surfaces sputtering by gas cluster ions / Anton Nazarov, Vladimir Chernysh, Alexey Ieshkin, Dmitrii Kireev | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Gas cluster ion beams (GCIB) have become a widely used instrument for surface treatment such as surface cleaning, sub nanometer smoothing, planarization of surface structures for the integrated circuit production. Surface nanostructures for sensing applications can also be created under the GCIB irradiation. Moreover, GCIB is used in the analytical methods such as secondary ion mass-spectrometry (SIMS) or X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The sputtering phenomenon under GCIB irradiation plays the key role in the mentioned practical applications. The studies of the differential quantities of sputtering are important both for development of practical methods and for the fundamental understanding of cluster-surface interaction mechanisms. Particularly, GCIB is well-known for the socalled “lateral” sputtering with the maximum of the angular distribution of sputtered atoms at 50-70 degrees from the surface normal. In this work the angular and energy distributions of atoms sputtered from Cu, Mo and W surfaces by Ar, Kr and Xe cluster ions are studied both experimentally and with MD simulations. It was experimentally found that the angular distributions can differ from the “lateral” shape by the increased yield in the direction of surface normal. The strong angular distribution dependence on the E/n value has been found by the MD simulations in the range between several tens of eV and 1 keV per cluster atom. This dependence is explained by the difference in the sputtering mechanisms at low and high E/n. The energy distributions were calculated with the MD simulations. The applicability of the thermal spike model to the GCIB sputtering is discussed | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 99-101.pdf | 272,99 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.