Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304285| Заглавие документа: | Зарядовые свойства гетероструктуры TiO2/Si при облучении солнечным светом |
| Другое заглавие: | Charging properties of the TiO2/Si heterostructure under solar irradiation / Hanna Kuraptsova, Alexander Danilyuk |
| Авторы: | Курапцова, А. А. Данилюк, А. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 93-95. |
| Аннотация: | В данной работе представлены результаты компьютерного моделирования зарядовых свойств гетероструктуры пленка диоксида титана толщиной 100 нм на кремниевой подложке под воздействием излучения, в соответствии со спектром AM1.5g. Были исследованы зависимости скоростей генерации на поверхности пленки TiO2 и на границе раздела полупроводников, а также величины поверхностной плотности электрического заряда σ на пленке TiO2, от длины волны падающего излучения и от энергии Et дефектного уровня Ti3+ в диоксиде титана. Было выявлено монотонное возрастание плотности электронного заряда σ на пленке диоксида титана с ростом энергии Et и немонотонное изменение с ростом длины волны. Также было установлено, что в формировании заряда на поверхности пленки диоксида титана участвуют носители заряда, сгенерированные в кремниевой подложке под воздействием солнечного излучения, и максимальная величина заряда на поверхности пленки TiO2 совпадает с длиной волны максимальной мощности солнечного излучения |
| Аннотация (на другом языке): | This work presents the results of computer modeling of the charge properties of a heterostructure consisting of a 100 nm thick titanium dioxide film on a silicon substrate under irradiation, in accordance with the AM1.5g spectrum. The radiation power density attributable to each of the wavelengths used in the calculations was set in proportion to the power density in the AM1.5g spectrum, fixed as a standard for describing the efficiency of photovoltaic systems. The total power density for all wavelengths was 1 kW/m2. The dependences of the generation rates on the TiO2 film surface and at the semiconductor interface, as well as the surface electric charge density σ on the TiO2 film, on the incident radiation wavelength and on the energy Et of the Ti3+ defect level in titanium dioxide were studied. A monotonic increase in the electron charge density σ was observed on a titanium dioxide film with increasing energy Et, and a non-monotonic change with increasing wavelength was detected. It was also found that charge carriers generated in the silicon substrate under the influence of solar radiation participate in the formation of a charge on the surface of a titanium dioxide film, and the maximum charge on the surface of the TiO2 film coincides with the wavelength of the maximum power of solar radiation |
| Доп. сведения: | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of radiation and plasma interaction with solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304285 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.