Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304246| Заглавие документа: | Формирование фаз в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами In+ и Sb+ |
| Другое заглавие: | Phase formation in the In+ and Sb+ ion-implanted silicon-on-insulator structures / I.E. Tyschenko, R. Zhang, A.K. Gutakovskii, V.I. Vdovin, V.A. Volodin, V.P. Popov |
| Авторы: | Тысченко, И. Е. Чжан, Ж. Гутаковский, А. К. Вдовин, В. И. Володин, В. А. Попов, В. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 458-460. |
| Аннотация: | Изучено формирование новых фаз вблизи границ сращивания Si/SiO2 структуры кремний-на-изоляторе со слоями Si и SiO2, имплантированными соответственно ионами Sb+ и In+, в процессе высокотемпературного отжига при Т = 1100 °С длительностью 1-300 мин. Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света обнаружено, что в имплантированных структурах на начальных стадиях отжига наблюдается рассеяние на частоте оптических фононов в Sb, In2O3 и InSb. Положения ТО и LO мод в InSb смещены в высокочастотную область относительно их значений в объемном монокристалле. Увеличение длительности отжига сопровождается доминированием в спектрах рассеяния на частоте TO и LO фононов в InSb и низкочастотному смещению оптических мод к значениям в монокристалле InSb. Сделаны оценки деформаций In-Sb связей в синтезированной матрице InSb как функции длительности отжига. Установлено, что по мере роста длительности отжига деформации в синтезированном InSb уменьшаются до нуля. Полученные результаты объясняются особенностями эволюции нанокристаллов InSb на границе Si/SiO2 в зависимости от времени отжига, установленными методом высокоразрешающей электронной микроскопии |
| Аннотация (на другом языке): | The formation of new phases near the Si/SiO2 bonding interface of a silicon-on-insulator structure with the Sb+ and In+ ion-implanted Si and SiO2 layers, respectively, was investigated during the high-temperature annealing at T = 1100 °С for 1-300 minutes. A thermally grown SiO2 layer was implanted with In+ ions at the energy of 100 keV to the dose of 8x10 15 cm-2. Sb+ ions at the energy of 100 keV to the dose of 8x10 15 cm-2 were implanted in the other Si wafer. Then, the implanted wafers were connected by the implanted surfaces, bonded and the 640 nm thick Sb+ ion-implanted silicon layer was transferred to the In+ ion implanted SiO2. Raman spectroscopy and high-resolution electron microscopy were used to the investigation of the prepared samples. The Raman peaks corresponding to the TO and LO phonon modes in the monocrystalline Sb lattice, In2O3 matrix and monocrystalline InSb matrix were obtained after the annealing at 1100 °С for 1-3 minutes. At that, the optical phonon frequencies were blue-shifted compared to their values in the bulk monocrystalline InSb matrix. As the annealing time increased, the Raman scattering at the optical phonon frequencies in the InSb dominated, as well as the TO and LO mode positions red-shifted. From the LO and TO peak frequency, the In-Sb bond deformation as a function of the annealing time was estimated. It was obtained, as the annealing duration increases, deformations in the synthesized InSb matrix decrease to zero. The obtained results are explained by the features of the InSb nanocrystal evolution at the Si/SiO2 interface depending on the annealing time. These features were established by high-resolution electron microscopy |
| Доп. сведения: | Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304246 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 458-460.pdf | 570,11 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.