Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304217| Title: | Фотолюминесценция тонких пленок Cu(In,Ga)Se2, имплантированных низкоэнергетическими ионами водорода |
| Other Titles: | Photoluminescence of Cu(In,Ga)Se2 thin films implanted with low energy hydrogen ions / V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi, I.D. Myalik, M.V. Yakushev, M.A. Sulimov |
| Authors: | Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Мялик, И. Д. Якушев, М. В. Сулимов, М. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 369-371. |
| Abstract: | В диапазоне температур от 8 до 280 K исследована фотолюминесценция (ФЛ) тонких пленок твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 (CIGSe) с содержанием галлия х = [Ga]/([Ga]+[In]) = 0.22, созданных методом магнетронного распыления металлических прекурсоров (Cu, In, Ga) на стеклянные подложки с контактным слоем Мо и их последующей селенизации. Установлено, что облучение тонких пленок ионами водорода H+ c энергией 2.5 кэВ и дозой 10 17 см-2 приводит к уменьшению интенсивности доминирующей полосы ФЛ в близкраевой области ВТ ~ 1.16 эВ в 3 раза. При имплантации водорода также изменяется спектральное положение и происходит перераспределение интенсивности других полос в области энергии от 1.1 до 0.7 эВ. Анализ зависимостей интенсивности ФЛ, энергетического положения и спектральной формы полос ФЛ от температуры образцов позволил определить отличие процессов излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в необлученных и имплантированных водородом пленках CIGSe. Обсуждаются возможные механизмы излучательной рекомбинации и природа дефектов структуры в тонких пленках CIGSe |
| Abstract (in another language): | The photoluminescence (PL) in the region from 4 K and 280 K of CuIn1-xGaxSe2 (CIGSe) solid solutions thin films with a gallium content of х = [Ga]/([Ga]+[In]) = 0.22, produced by magnetron sputtering of metals (Cu, In, Ga) on the glass substrates with a Mo back contact layer and their subsequent selenization, has been investigated. It was established that irradiation of the films with hydrogen ions H+ with an energy of 2.5 keV and a dose of 10 17 cm-2 leads to a decrease in the intensity of a PL band, dominating the spectrum in the near-band-edge region, BT ~1.16 eV by a factor of 3. Hydrogen implantation also changes the BT spectral position and redistributes the intensity of other bands in the energy region from 1.1 to 0.7 eV. Analysis of dependencies on the sample temperature on the intensity, energy position, and spectral shape of the PL bands made it possible to determine the difference between the processes of radiative recombination of nonequilibrium charge carriers in the unirradiated and hydrogen-implanted CIGSe thin films. Possible mechanisms of radiative recombination and the nature of structural defects in CIGSe thin films are discussed |
| Description: | Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304217 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Sponsorship: | Работа выполнена по ГПНИ «8. Материаловедение, новые материалы и технологии», задание 1.4.4. |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 369-371.pdf | 462,25 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.