Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304206| Title: | Наблюдение замедленной фотопроводимости в Ga2O3 после обработки в водородной плазме |
| Other Titles: | Slow photoconductivity relaxation observation in the Ga2O3 films after hydrogen plasma treatment / Ivan Schemerov, Alexander Polyakov, Anton Vasilyev, Anastasia Kochkova |
| Authors: | Щемеров, И. В. Поляков, А. Я. Васильев, А. А. Кочкова, А. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 338-340. |
| Abstract: | Слаболегированные плёнки α-Ga2O3, выращенные методом HVPE на сапфире были обработаны высокоэнергетической водородной плазмой. После обработки на поверхности образовался проводящий слой, обусловленный появлением мелких доноров (атомарный водород и комплексы водород-кислород). Обработка порождает большое количество глубоких центров захвата носителей заряда, в том числе заметных на кривой спада фотоиндуцированного тока. После обработки проводимость образцов резко растёт, фотопроводимость растёт в меньшей степени, но релаксационные процессы ускоряются. Показано, что характерные времена нарастания и спада фотоиндуцированного тока в необработанных образцах составляют сотни секунд, при этом релаксационные кривые имеют вид мультиэкспоненциальных кривых и могут быть разложены на несколько составляющих при помощи метода анализа логарифмической производной сигнала. По результатам измерений сделан вывод о значительном влиянии градиента потенциала вблизи границы интерфейса на однородность распределения носителей под барьером Шоттки |
| Abstract (in another language): | Unintentionally Sn-doped HVPE α-Ga2O3 films on the sapphire substrate after hydrogen plasma treatment were studied. Hydrogen plasma treatment produces the conductance layer on the film surface since H atoms and H-O complexes are shallow donors. Also, a lot of deep levels were found after treatment. Increasing of the deep traps leads to increasing of the external quantum efficiency in the high-wavelength part of spectra. It was shown that characteristic time of the photoinduced current are extremely high. Relaxation curve can be described as a sum of exponential decays with different characteristic times, including very long. These processes can be separated using logarithmic derivative of the photorelaxation signal on the time. It can be shown that potential fluctuation under the Schottky barrier leads to non-uniform current carrier distribution and, as a result, to stretching of the photoinduced current relaxation |
| Description: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation influence on the structure and properties of materials |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304206 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Sponsorship: | Работа выполнена при поддержке министерства образования и науки РФ, соглашение № 22-72-00010. |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 338-340.pdf | 382,94 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.