Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302431
Title: | Спектры пропускания периодических структур Si/SiO2/Si3N4/Si/Al с окошечным поверхностным слоем |
Authors: | Мухаммад, А. И. Гайдук, П. И. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2023 |
Citation: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 64-66. |
Abstract: | Методами Фурье-спектрометрии были исследованы экспериментальные спектры пропускания периодических структур Si/SiO2/Si3N4/Si и Si/SiO2/Si3N4/Si/Al с окошечным поверхностным слоем, легированным имплантацией ионов As+. Обнаружено, что после проведения термического отжига уровень пропускания структуры Si/SiO2/Si3N4/Si падает на 5–20%, при этом поведение кривых пропускания не изменяется. Установлено, что осаждение на обратную сторону структуры пленки алюминия не влияет на уровень пропускания структуры без отжига, но значительно (более, чем на 20%) уменьшает уровень пропускания отожженной структуры, что может быть связано с возникновением в поверхностном слое плазмонных колебаний |
Description: | Секция 1. Прикладные проблемы оптики и спектроскопии |
URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302431 |
Sponsorship: | Исследования проводились при финансовой поддержке БРФФИ в рамках гранта Т-22-030. |
Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Number, date deposit: | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 |
Appears in Collections: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.