Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302388
Title: Тонкопленочные транзисторные структуры на основе InGaZnO
Authors: Степанов, А. А.
Смирнов, А. Г.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2023
Citation: Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 378-380.
Abstract: В работе представлены результаты исследования тонкопленочных транзисторных структур на основе полупроводникового соединения InGaZnO (IGZO), формируемого методом магнетронного плазмохимического осаждения. Исследованы их структурно-морфологические и электрофизические свойства. Полученные слои характеризуются высокой подвижностью носителей заряда и прозрачностью, что позволяет их использовать при изготовлении ЖК- и OLED – активно-матричных дисплеев нового поколения
Description: Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302388
Sponsorship: Работа выполнена в рамках задания 1.4 ГНПИ «Материаловедение, новые материалы и технологии». Выражаем также благодарность сотрудникам ОАО “ИНТЕГРАЛ” за предоставленную возможность использования контрольно-измерительного оборудования при исследовании ВАХ тестовых образцов.
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Number, date deposit: №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023
Appears in Collections:2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
378-380.pdf311,29 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.