Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/298758| Title: | Влияние длительной и быстрой термообработок на формирование границы раздела алюминий – поликремний |
| Other Titles: | Effect of long-term and rapid thermal treatments on the formation of the aluminum – polysilicon interface / U. A. Pilipenka, N. S. Kovalchuk, D. V. Zhyhulin, D. V. Shestovski, V. M. Anishchik, V. V. Ponariadov |
| Authors: | Пилипенко, В. А. Ковальчук, Н. С Жигулин, Д. В. Шестовский, Д. В. Анищик, В. М. Понарядов, В. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. – 2023. – № 2. – С. 51-57 |
| Abstract: | Исследовано влияние длительной и быстрой термообработок на формирование границы раздела алюминий – поликремний на структурах алюминий – поликремний – двуокись кремния в целях изучения омических контактов в элементной базе интегральных микросхем. Полученные структуры были подвергнуты различным видам термообработки: стандартному (длительному) термическому отжигу (450 °С, 20 мин, среда N2), используемому для создания омических контактов на этапе производства интегральных микросхем, и быстрому термическому отжигу (450 °С, 7 с, среда Ar). Установлено, что при длительной термообработке происходит полное растворение поликремния в алюминии с последующей сегрегацией в виде отдельных остроугольных конгломератов поликремния на поверхности двуокиси кремния, что может привести к полному отказу работоспособности интегральной микросхемы. При быстрой термообработке подобного эффекта не наблюдается. Таким образом, при формировании омического контакта алюминий – поликремний на этапе производства интегральных микросхем целесообразно использовать быструю термообработку, которая существенно уменьшает растворение поликремния в алюминии и тем самым способствует формированию омического контакта. |
| Abstract (in another language): | The influence of long-term and rapid thermal treatments on the formation of the aluminum – polysilicon interface on aluminum – polysilicon – silicon dioxide structures in order to study the ohmic contacts in the element base of integrated circuits are considered. The obtained structures were subjected to various thermal treatments: standard (long-term) thermal annealing (450 °С, 20 min, N2 environment) used to create ohmic contacts at the stage of integrated circuit manufacturing and rapid thermal annealing (450 °С, 7 s, Ar environment). It is established, that during long-term thermal treatment, polysilicon is completely dissolved in aluminum, followed by segregation in the form of separate acute-angled polysilicon conglomerates on the surface of silicon dioxide, which can lead to a complete failure of the integrated circuit. With rapid thermal treatment, this effect is not observed. Thus, when forming an ohmic aluminum – polysilicon contact at the stage of integrated circuit manufacturing, it is advisable to use rapid thermal treatment, which significantly reduces the dissolution of polysilicon in aluminum and thereby contributes to the formation of an ohmic contact. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/298758 |
| ISSN: | 2520-2243 |
| DOI: | 10.33581/2520-2243-2023-2-51-57 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2023, №2 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.