Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/29801| Заглавие документа: | Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике |
| Авторы: | Челядинский, А. Р. Оджаев, В. Б. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | сен-2011 |
| Издатель: | БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2011. - № 3. – С. 10-17. |
| Аннотация: | Physical nature of the Watkins effect as an important interaction of the impurities and point defects for modification of silicon structures properties is analyzed. The Watkins effect is displayed in electrical activation and diffusion of implanted impurities, in formation of the extended damages from point defects in silicon. = Проанализирована физика явления замещения по Воткинсу в кремнии и показана возможность его использования в создании бездефектных ионно-легированных структур кремния с управляемым коэффициентом диффузии внедренных примесей. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/29801 |
| ISBN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2011, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.